探討調速多用振蕩器的霍爾效應原理

　　調速多用振蕩器的霍爾效應是磁電效應的一種，這一現(xiàn)象是美國物理學家霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機構時發(fā)現(xiàn)的。當電流垂直于外磁場通過導體時，在導體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現(xiàn)電勢差，這一現(xiàn)象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。

　　其實上面對調速多用振蕩器霍爾效應的介紹簡要的表明了霍爾效應的原理，詳細來說：在導體中，電子在電場作用下沿電流反方向運動，由于存在垂直于電流方向的磁場，電子受到洛倫茲力，產生偏轉，偏轉的方向垂直于電流方向和磁場方向，而導體中運動的是電子（正電荷只是相對于電子而運動），所以實際上只有電子運動并偏轉，這樣就產生了電勢差，兩面有電壓。在半導體中，有兩種載流子（空穴與自由電子），而它們的偏轉方向是相同的，產生的電壓也只是多數(shù)載流子與少數(shù)載流子之差，即表現(xiàn)了多數(shù)載流子的效果。正是因為這樣，所以才能利用霍爾效應來判斷N、P型半導體。